【IC设计】大功率芯片研制获突破
编辑时间： 07-06 关键字：
据湖北日报消息，近日，由湖北深紫科技有限公司与华中科技大学共建的企校联合创新中心研发团队，成功实现了UVC大功率芯片技术突破，研制出单颗光输出功率140mW以上的大功率芯片。目前该款产品已进入批量供货阶段。
今年5月鄂州融媒消息，该企校联合创新中心已获得2022年中央引导地方科技发展项目，正在实施“紫外 UVB 与 UVC LED 芯片及其模组的研发和产业化”项目，进一步提升紫外LED芯片量子效率，开发多款紫外LED模组，力争该类芯片性达到国际领先水平。
封面图片来源：拍信网
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