【存储器】长江存储计划产能翻倍并生产192层闪存

据日经亚洲评论12日报道，长江存储计划今年将产量提高一倍，并开始率先生产192层3D NAND闪存。对此，集邦咨询认为，若长江存储实现产能翻倍并提供128层SSD或eMMC以支援OEM及智能手机客户，将有望在NAND Flash市场上发挥更大影响力。

长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍，至10万片晶圆，约占全球总产量的7%。这将有助于该公司缩小与全球先进制造商之间的差距。据悉，三星电子目前每月约生产48万片晶圆，而美光的月产能约为18万片。

消息人士表示，“对于增产的部分，长江存储自2020年第三季度以来一直忙于引入和安置必要的芯片设备，以及扩大生产线。该公司目前生产64层和128层3DNAND闪存芯片，日后将逐步增加后者的比例。”

工艺转进方面，报道称长江存储最早将于2021年年中试产第一批192层3DNAND闪存芯片。不过，因先进工艺的复杂性，需要时间确保量产芯片质量，这一计划有可能会被推迟到今年下半年。

长江存储被视作国产存储替代之路的领头羊，且被认为有着改变全球NAND Flash市场格局的潜力。2020年4月13日，紫光集团旗下的长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，该产品是全球首款128层QLC规格的3D NAND闪存芯片。

TrendForce集邦咨询表示，长江存储计划在2021年实现产能翻倍，并提供128层堆叠SSD或eMMC以支援OEM及智能手机客户。如果能够实现上述目标，长江存储将有望在NAND Flash市场上发挥更大影响力。据介绍，当前长江存储的NAND只应用于SD、USB以及通道式SSD。

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