【材料/设备】国内首次报道！50mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功

近日，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出了厚度达到50mm的6英寸碳化硅单晶（下图），这在国内尚属首次报道。