【材料/设备】北京：加速第三代半导体等领域技术和产品的研发过程

北京市副市长靳伟20日在国新办发布会上表示，“十三五”期间，北京原始创新策源能力进一步增强，涌现出马约拉纳任意子、新型基因编辑技术、天机芯、量子直接通信样机等一批世界级的重大原创成果，未来五年，北京要进一步坚持“锻长板”与“补短板”并重，立足科技自立自强，坚持有所为、有所不为，围绕“四个面向”，开展重点领域关键核心技术研发工作。

第一，在锻造长板方面，进一步强化重点领域领先优势。一是加强人工智能前沿基础理论和关键的共性基础研究，通过“智源学者计划”，吸引人工智能高端人才，更多培养青年科研人员，加快搭建自主底层的技术架构。二是支持开展量子计算关键器件的核心技术和软件系统的生态构建，促进在大数据搜索、人工智能、药物研发等领域的应用。三是支持开展区块链的前沿技术攻关，搭建算力模型、软硬技术支撑的技术构架体系。四是支持开展生物技术攻关，加快研发生命科学前沿新技术，生物安全防控关键技术。

第二，在补足短板方面，着力攻克重要领域关键的核心技术。一是推动集成电路产研一体突破。二是开展关键新材料的技术攻关，加速第三代半导体等领域技术和产品的研发过程。三是聚焦通用型的关键零部件，研发突破部分仪器的关键零部件。四是推动高端仪器设备研发实现突破，支持形成一批服务于重大的科技基础设施的定制化的科学仪器和设备

第三代半导体可广泛应用于能源、交通、信息、国防等众多领域。随着5G通信、新能源汽车等应用市场强势崛起，第三代半导体产业成为市场关注的焦点之一。当前，我国第三代半导体产业已基本形成了涵盖上游衬底、外延片，中游器件设计、器件制造及模块，下游应用等环节的产业链布局。

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