【存储器】80亿美元，三星西安二期二阶段项目预计2021年年中投产

据群众新闻网报道，目前，总投资80亿美元的三星高端存储芯片二期第二阶段项目正在稳步推进，预计2021年年中建成投产。

据三星（中国）半导体有限公司副总裁池贤基介绍，三星（中国）半导体有限公司一季度进出口额为278.67亿元，相较去年同期增加45%，二期项目第一阶段预计在今年第三季度实现满产。

资料显示，三星（中国）半导体有限公司成立于2012年，公司位于西安高新综合保税区。落地西安以后，三星电子先期投资105亿美元建成三星（中国）半导体有限公司高端闪存芯片项目一期及封装测试中心。项目一期于2014年5月竣工投产，截至目前运行顺利。

2017年8月，三星电子与陕西省、西安市及高新区政府签署了投资合作协议，建设三星（中国）半导体有限公司闪存芯片二期项目。

据悉，三星高端存储芯片二期第一阶段项目投资约70亿美元，今年3月，二期项目第一阶段项目产品正式下线上市。

2019年12月，三星高端存储芯片二期第二阶段项目正式启动，总投资80亿美元。

作为改革开放以来我国电子信息行业最大的外资项目，三星（中国）半导体有限公司生产的主要产品为3D V-Nand闪存芯片。

池贤基表示，三星项目的启动，带动100多个相关配套企业进驻西安高新区，西安高新区形成了规模过千亿元的半导体产业集群，并将进一步跃升为世界具有竞争力的电子信息产业基地。

封面图片来源：Samsung